Isolierter SiC-Gatetreiber

PRODUKT NEWS

Der einkanalige Gatetreiber STGAP2SiCSN von STMicroelectronics ist für die Ansteuerung von Siliziumkarbid-MOSFETs optimiert. Der STGAP2SiCSN besitzt eine galvanische Isolation zwischen dem Gatetreiber-Kanal und dem Niedervolt-Ansteuerteil und eignet sich hochspannungsseitig für bis zu 1.700 V.



Die Signallaufzeit zwischen Eingang und Ausgang beträgt laut ST weniger als 75ns und die Impulsfestigkeit (Common-Mode Transient Immunity, CMTI) ±100 V/ns. Zu den integrierten Schutzfunktionen gehören eine Unterspannungs-Sperre (Under-Voltage Lockout, UVLO), deren Ansprechschwelle so gewählt ist, dass die SiC-Leistungsschalter nicht unter ineffizienten oder unsicheren Bedingungen arbeiten, sowie eine Thermal-Shutdown-Funktion, die beide Treiberausgänge auf Low-Status setzt, sobald eine zu hohe Sperrschichttemperatur detektiert wird.

Es stehen zwei optionale Konfigurationen zur Auswahl. Entweder können mit separaten Ausgängen die Einschalt- und die Ausschaltzeit unabhängig voneinander mit einem externen Widerstand optimiert werden, oder es steht ein einzelner Ausgang mit aktiver Miller-Clamp-Funktion zur Verfügung. Die letztgenannte Konfiguration verbessert die Stabilität in hart schaltenden Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz, wobei die Miller-Clamp-Funktion übermäßige Oszillationen des Leistungsschalters unterbinden soll.

Die Logikeingänge des STGAP2SiCSN sind bis 3,3V herab TTL- und CMOS-kompatibel, wodurch sich der Anschluss an einen Host-Mikrocontroller oder -DSP vereinfacht. Bei einer Gate-Ansteuerspannung von bis zu 26V verkraftet der Treiber als Quelle und als Senke Ströme bis zu 4A. Die integrierte Bootstrap-Diode vereinfacht das Design und ein Shutdown-Modus mit separatem Eingangs-Pin trägt dazu bei, den Stromverbrauch des Gesamtsystems zu minimieren.

Der STGAP2SiCSNTR ist ab sofort im 5mm x 4mm messenden SO-8N-Gehäuse lieferbar und kostet ab 1,25 US$ (ab 1.000 Stück).

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