Die L5-Familie basiert auf der TRENCHSTOP 5 DünnwaferTechnologie, deren Leitungsverlust durch eine zusätzliche Optimierung des Ladungsträgerkanals weiter reduziert wurde.
Mit einem typischen Sättigungswert von V CE(sat) = 1,05V bei 25°C können bessere Wirkungsgrade erzielt werden. Verbesserungen um bis zu 0,1% in einer NPC 1-Topologie oder bis zu 0,3% in einer NPC 2-Topologie sind möglich, wenn die vor-hergehenden Versionen der TRENCHSTOP IGBTs durch die L5-Familie ersetzt werden.
Höherer Wirkungsgrad
Zusammen mit dem positiven Temperaturkoeffizienten des V CE(sat) bleibt der hohe Wirkungsgrad erhalten und erlaubt zudem die Parallelisierung mehrerer Bauteile. Die TRENCHSTOP 5-Technologie der L5-Familie garantiert, dass der Gesamtschaltverlust maximal 1,6mJ bei 25°C beträgt. Speziell bei Anwendungen mit geringer Schaltfrequenz führt die L5-Familie dadurch zu einem höheren Wirkungsgrad, verbesserter Zuverlässigkeit und kleineren Systemabmessungen.
Gehäusevarianten
Die L5-IGBT-Familie wird zunächst im branchenüblichen TO-247 3-Pin-Gehäuse auf den Markt gebracht. Darüber hinaus bietet Infineon den L5 auch im TO-247 4-Pin-Kelvin-Emitter-Gehäuse an, um den Wirkungsgrad der Anwendung zusätzlich zu steigern. Im Vergleich zum TO-247 3-Pin-Gehäuse senkt das TO-247 4-Pin-Gehäuse die Schaltverluste laut Anbieter um weitere 20%.
Die L5-Familie ist in den Stromklassen 30A und 75A als Einzel-IGBT oder in Kom-bination mit den ultraschnellen Rapid 1 und Rapid 2 Siliziumdioden von Infineon erhältlich. Das TO-247 4-Pin-Kelvin-Emitter-Gehäuse wird für die Stromklasse 75A angeboten.
Infineon: Verlustarme IGBTs für 50 Hz bis 20 kHz
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