Infineon Technologies und Rohm planen eine Zusammenarbeit bei Siliziumkarbid-(SiC)-Leistungshalbleiter-Gehäusen. Das betrifft u.a. Anwendungen wie Onboard-Ladegeräte, Photovoltaik, Energiespeichersysteme und KI-Rechenzentren. 

Konkret beabsichtigen die Partner, wechselseitig als zweite Bezugsquelle (Second Source) für Kunden zu fungieren, die ausgewählte Gehäuse für SiC-Leistungshalbleiter nutzen. Die Bauteile können mit kompatiblen Gehäusen sowohl von Infineon als auch von Rohm bezogen werden.

Die Details

Im Rahmen der Vereinbarung übernimmt Rohm die Top-Side-Cooling-Plattform für SiC von Infineon, einschließlich der TOLT, D-DPAK, Q-DPAK, Q-DPAK dual und H-DPAK-Gehäuse. Die Top-Side-Cooling-Plattform von Infineon bietet eine Standardhöhe von 2,3mm für alle Gehäuse.

Gleichzeitig wird Infineon basierend auf dem DOT-247-Gehäuse von Rohm mit SiC-Halbbrückenkonfiguration ein kompatibles Produkt entwickeln. Damit erweitert das Unternehmen sein Double-TO-247-IGBT-Portfolio um SiC-Halbbrückenlösungen. Das DOT-247-Gehäuse von Rohm bietet eine höhere Leistungsdichte und reduziert den Montageaufwand im Vergleich zu Standard-Einzelgehäusen. Durch die Struktur mit zwei TO-247-Gehäusen integriert, lassen sich der Wärmewiderstand und die Induktivität im Vergleich zum TO-247 reduzieren. Diese Vorteile ermöglichen eine höhere Leistungsdichte.

Die Unternehmen planen, ihre Zusammenarbeit künftig auf weitere Gehäuse für Silizium- und Wide-Bandgap-Leistungshalbleitertechnologien wie SiC und Galliumnitrid (GaN) auszuweiten.