Die Produktfamilie basiert auf der fünften Generation der Schottky-Dioden von Infineon. Der Chip-Hersteller hat diese weiter optimiert, damit sie die Anforderungen der Automobilindustrie an Robustheit und Zuverlässigkeit erfüllen. Dank eines neuen Passivierungsschicht-Konzepts bietet diese Familie einen hohen Feuchtigkeits- und Korrosionsschutz.
Darüber hinaus weist sie dank der zugrundeliegenden 110-µm-Dünnwafer-Technologie einen guten FO-Wert (Figure of Merit, Qc x Vf) ihrer Klasse auf. Ein niedrigerer FOM-Wert bedeutet geringere Leistungsverluste. Im Vergleich zur herkömmlichen Silicon Rapid Diode kann die CoolSiC Automotive Schottky Diode die Effizienz eines OBC unter allen Ladebedingungen um einen Prozentpunkt steigern. Ausgehend vom deutschen Strom-Mix führt dies über die typische Lebensdauer eines Elektroautos zu einem Sparpotenzial von 200 Kilogramm an CO 2-Emissionen.
Das erste Derivat ist ab September 2018 für die 650V-Klasse verfügbar. Die neuen Produkte mit 3-poligem Standard-TO247-Gehäuse lassen sich in ein OBC-System integrieren und in Kombination mit den TRENCHSTOP IGBT- und CoolMOS-Produkten von Infineon einsetzen.
Infineon: Siliziumkarbid-Schottky-Dioden für Automotive-Anwendungen
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