Dank der GaN-Technologie können Stromversorgungen kleiner und leichter werden. Das Produktangebot wird auch um spezielle Treiber und Controller-ICs erweitert, die entsprechende Topologien und höhere Frequenzen ermöglichen. Hiermit können die Vorteile von GaN voll ausgeschöpft werden.


Das Portfolio wird auch um weitere Patente, einen GaN-on-Silicon-Epitaxie-Prozess und um 100- bis 600-V-Technologien erweitert, die mit der Übernahme von International Rectifier zusammen hängen. Zusätzlich werden Infineon und Panasonic auf Basis einer strategischen Partnerschaft gemeinsam Bausteine einführen, die die Enhancement Mode-GaN-on-Silicon-Transistorstruktur (Normally-off) von Panasonic in SMD-Gehäuse von Infineon integrieren. Damit stehen 600-V-GaN-Bausteine mit der Sicherheit von zwei Lieferquellen zur Verfügung.



Vorteile von GaN-on-Silicon

Die GaN-on-Silicon-Technologie ermöglicht gegenüber Silizium-basierten Lösungen eine höhere Leistungsdichte und einen besseren Wirkungsgrad bei weniger Platzbedarf. Daher ist diese Technologie prädestiniert für Anwendungen, von Konsumprodukten wie TV-Stromversorgungen über Class D-Audiover-stärkern bis hin zu Schaltnetzteilen in Servern und Telekom-Einrichtungen.



Erwartetes Wachstum

Laut Infineon wird - laut einem Marktforschungsbericht von IHS zufolge - der Markt für auf GaN-on-Silicon basierende Leistungshalbleiter voraussichtlich mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von mehr als 50 Prozent ansteigen. Die Marktgröße, die 2014 laut IHS bei 15 Millionen USD lag, würde damit bis zum Jahre 2023 auf 800 Millionen USD zulegen.



Verfügbarkeit

Infineon und Panasonic zeigen auf der APEC 2015 (Charlotte, North Carolina, 15. bis 19. März 2015) erste Muster von 600 V/70 mΩ-Bausteinen in einem DSO-Gehäuse. Erste Muster der Enhancement-Mode-/Cascode-Bausteine werden Kunden unter NDA (Non-Disclosure Agreements) zur Verfügung stehen. Cascode-Bausteine in Serienproduktion für mittlere Spannungsklasse sind für entsprechende Class D Audio-Kunden lieferbar.