Leistungshalbleiter auf GaN-Basis werden in den Bereichen Industrie, Automotive sowie Konsumenten-, Rechen- und Kommunikationsanwendungenverwendet. Beispiele sind Stromversorgungen für KI-Systeme, Solarwechselrichter, Ladegeräte und Adapter sowie Motorsteuerungssysteme.
Infineon hat 300-Millimeter-GaN-Wafer auf einer integrierten Pilotlinie in der bestehenden 300-Millimeter-Siliziumproduktion in der Power-Fab in Villach (Österreich) hergestellt. Das Unternehmen wird die GaN-Kapazitäten weiter ausbauen. Die ersten 300-Millimeter-GaN-Wafer werden auf der Branchenmesse electronica im November 2024 in München zu sehen sein.
Warum funktioniert das?
Die 300-Millimeter-GaN-Technologie kann in bestehenden 300-Millimeter-Fertigungsanlagen für Silizium hergestellt werden, da sich Galliumnitrid und Silizium in den Fertigungsprozessen ähnlich sind. Die bestehenden 300-Millimeter-Silizium-Produktionslinien von Infineon sind deshalb für eine GaN-Technologie geeignet.
Und die Kosten?
Eine vollständig skalierte 300-Millimeter-GaN-Produktion soll dazu führen, dass die Kosten von GaN mit denen von Silizium in Bezug auf R DS(on)-Kennwerte gleichziehen – was laut Infineon Kostengleichheit für vergleichbare Si- und GaN-Produkte bedeutet.
