Infineon eröffnet SiC-Leistungshalbleiterfabrik in Malaysia

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Infineon hat in Malaysia die erste Phase einer 200-Millimeter-Fab für Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) eingeweiht. Geplant ist dort die Fertigung von Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern sowie Galliumnitrid (GaN)-Epitaxie.



Die 200-Millimeter-SiC Power Fab wird in der ersten Ausbaustufe ein Investitionsvolumen von zwei Milliarden Euro umfassen. In der ersten Phase entstehen in Kulim/Malaysia 900 Arbeitsplätze. In der zweiten Phase soll mit einem Investitionsvolumen von bis zu fünf Milliarden Euro die nach Infineon-Angaben weltweit größte und effizienteste 200-Millimeter-SiC Power Fab mit insgesamt 4.000 Arbeitsplätzen entstehen.

Für den laufenden Ausbau der Kulim-3-Fab hat sich Infineon nach eigenen Angaben schon Design Wins im Gesamtwert von rund fünf Milliarden Euro gesichert und Vorauszahlungen in Höhe von rund einer Milliarde Euro erhalten. Dazu gehören Zusagen von sechs OEMs aus dem Automobilsektor sowie Kunden aus den Bereichen erneuerbare Energien und Industrie.

Der Standort Kulim 3 wird mit dem Infineon-Standort in Villach, Österreich, verbunden sein, dem globalen Kompetenzzentrum für Leistungshalbleiter von Infineon. Das Unternehmen hatte die Kapazitäten für SiC- und GaN-Leistungshalbleiter in Villach bereits 2023 erweitert. Als „One Virtual Fab“ für Wide-Bandgap-Technologien nutzen beide Produktionsstandorte nun gemeinsame Technologien und Prozesse.


Historie

Die Aktivitäten von Infineon in Malaysia begannen 1973 in Melaka. Im Jahr 2006 eröffnete das Unternehmen seine erste Frontend-Fabrik in Asien in Kulim. Derzeit beschäftigt Infineon mehr als 16.000 Menschen in Malaysia.