Die Serie ermöglicht bis zu 0,6 Prozentpunkte Effizienzgewinn, der sich in 2 bis 8°C niedrigerer MOSFET-Temperatur niederschlägt. Das haben Vergleichstests mit dem CoolMOS C3 und Wettbewerbsprodukten in typischen Flyback-Anwendungen ergeben. Eine integrierte Zener-Diode verbessert die Robustheit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD).
Durch ESD verursachte Produktausfälle werden damit reduziert. Der MOSFET weist einen V(GS)th von 3V und eine Varianz beim VGS(th) von ±0,5V auf. Diese Richtwerte erlauben eine niedrigere Betriebsspannung und ermöglichen geringere Schaltverluste. Zusätzlich sorgen sie dafür, dass der MOSFET nicht unbeabsichtigt im linearen Bereich betrieben wird.
Verfügbarkeit
Die MOSFET-Familie 800 V CoolMOS P7 wird in zwölf R DS(on)-Klassen und in sechs Gehäusen angeboten. Ab sofort verfügbar sind die Produktklassen mit einem R DS(on) von 280mΩ, 450mΩ, 1400mΩ und 4500mΩ.
Infineon: 800V-CoolMOS-MOSFET mit geringer thermischer Verlustleistung
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