07.02.2019

Infineon: 1200-V-SiC-MOSFETs für USVs und die Energiespeicherung

Infineon erweitert mit neuen CoolSiC MOSFETs sein Portfolio an Leistungshalbleitern für USVs und die Energiespeicherung. Die 1200-V-Familie CoolSiC Easy 2B bietet laut Hersteller rund 80 Prozent geringere Schaltverluste gegenüber Silizium-IGBTs und kann damit bei Wechselrichtern Wirkungsgrade von über 99 Prozent erreichen.


Das Leistungsmodul CoolSiC Easy 2B erweitert den Leistungsbereich von Halbbrücken-Modulen mit einem Einschalt-Widerstand (RDS(ON)) pro Schalter von 6 mΩ. (Bild: Infineon)

Die speziellen SiC-Eigenschaften erlauben den Betrieb bei gleicher oder höherer Schaltfrequenz. Das ist besonders hilfreich bei schnell schaltenden Anwendungen wie unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) und Energiespeichern.


Das Standardgehäuse Easy 2B für Leistungsmodule weist eine geringe Streuinduktivität aus. Mit einer Vielzahl von Halbbrücken-, Six-Pack- und Booster-Modulen bietet Infineon ein breites SiC-Portfolio im Easy-Gehäuse an. Die Halbbrückenkonfiguration des CoolSiC Easy 2B kann für den Aufbau von Four- und Six-Pack-Topologien genutzt werden.



Das Bauteil erweitert ...

den Leistungsbereich von Halbbrücken-Modulen mit einem Einschalt-Widerstand (R DS(ON)) pro Schalter von 6 mΩ. Die integrierte Body-Diode des CoolSiC MOSFET-Chips sorgt für eine verlustarme Freilauffunktion ohne zusätzlich notwendigen Diodenchip. Während der NTC-Temperatursensor die Überwachung des Moduls erleichtert, reduziert die PressFIT-Technologie die Montagezeit.



Verfügbarkeit

Die CoolSiC MOSFET Easy 2B-Module sind ab sofort erhältlich. Kürzlich hat Infineon die ersten CoolSiC MOSFETs in einem Easy 1B-Gehäuse auf den Markt gebracht. In einer Six-Pack-Topologie weist dieses Bauteil einen R DS(ON) von 45 mΩ auf.


 


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