Der VOW3120-X017T bietet einen Anschlussabstand und eine externe Kriechstrecke von mindestens 10mm. Aufgrund seiner Isolationsspannung von VIORM = 1414V bzw. VIOTM = 8000V ist der Treiber eine Lösung für Anwendungen mit höheren Arbeitsspannungen und/oder in Umgebungen mit höherem Verschmutzungsgrad.
Der Baustein weist eine Gleichtakt-Störunterdrückung von 50 kV/μs (typ.) auf. Durch seinen Stromverbrauch von 2,5mA eignet er sich für Leistungselektronikanwendungen, bei denen es auf Energieeffizienz ankommt.
Mit einer typischen Verzögerungszeit von weniger als 250ns und Anstiegs-/Abfallzeiten von weniger als 100ns ist der VOW3120-X017T eine Lösung für Anwendungen, die schnelles Schalten von IGBTs erfordern.
IGBT- und MOSFET-Treiber für Hochspannungsanwendungen
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