IGBT/SiC-Modultreiber für Elektro-, Hybrid- und Brennstoffzellenfahrzeuge

STROMVERSORGUNG AUTOMOTIVE

Die Gate-Treiber-Boards mit dem Namen SCALETM EV von Power Integrations sind für die Infineon EconoDUAL-Module ausgelegt. Der Treiber eignet sich für Original-, Nachbau- und neue SiC-Varianten und zielt auf Fahrzeug- und Traktionsumrichter für Elektro-, Hybrid- und Brennstoffzellenfahrzeuge, einschließlich Busse und Lastwagen sowie Bau-, Bergbau- und Landmaschinen.



Die SCALE EV-Gate-Treiber-Boards enthalten zwei Gate-Treiber-Kanäle mit verstärkter Isolation, zusammen mit Stromversorgungen und telemetrischen Überwachungsfunktionen. Die Boards sind AEC-qualifiziert und ASIL B-zertifiziert und ermöglichen die Implementierung von ASIL-C-Traktionsumrichtern.


Das erste Produkt der Familie ...

ist das 2SP0215F2Q0C, es wurde für das EconoDUAL 900A/1200V-IGBT-Halbbrückenmodul entwickelt. Die gesamte Treiberplatine passt einschließlich der Gate-Stromversorgung auf das Leistungsmodul, wobei laut Hersteller der für eine verstärkte Isolation nach IEC 60664 erforderliche Abstand eingehalten wird. Das ASIC-Gehäuse bietet Kriech- und Luftstrecken von 11,4mm, die speziell für die Anforderungen von 800-V-Bordnetzsystemen ausgelegt sind. Die Eingangs- und Ausgangsleitungen zum System-Mikrocontroller werden über zwei separate Steckverbinder auf der Leiterplatte angeschlossen, um die Anforderungen an die funktionale Sicherheit zu erfüllen. Pro Kanal wird jeweils eine 5-V-Stromversorgung benötigt, weitere galvanisch getrennte Spannungen werden auf dem Board erzeugt.


Diagnose- und Schutzfunktionen

Die SCALE-EV-Gate-Treiber-Familie ist für 1200V spezifiziert und eignet sich sowohl für 400-V- als auch für 800-V-Systeme. Sie unterstützt SiC-MOSFETs und Silizium-IGBTs. Das Design ist für bis zu 5500m Einsatzhöhe zugelassen und optional in einer vergossenen Ausführung erhältlich. Aktiver Kurzschlussschutz, aktive Entladung des DC-Zwischenrkeis-Kondensators, Überspannungsbegrenzung durch aktive Gate-Steuerung, Diagnosefunktionen wie Gate-Überwachung, Signalübertragungsüberwachung und On-Chip-Temperaturüberwachung sind implementiert. Die Reaktionszeit auf Kurzschluss und Überstrom beträgt weniger als eine Mikrosekunde für SiC-MOSFETs und weniger als drei Mikrosekunden für IGBTs.


Verfüg­bar­keit und Ressourcen

Als Informationsmaterial sind Datenblatt, pressFIT-CAD-Tool, Breakout-Board für den RDHP-2250Q-Adapter und PC-Soft­ware verfügbar. Power Integrations bietet Design-Services an, um das Schalt­verhal­ten für bestimmte IGBTs oder SiC-Bau­teile zu opti­mie­ren und das Layout an neue Modul-Baugrößen anzu­pas­sen. Muster des 2SP02152FQ sind sofort verfüg­bar, Pro­duk­tions­stück­zahlen sind ab dem vierten Quartal 2022 liefer­bar. Die 100-er Stück­preise beginnen bei $200.

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