IGBT-Modulplattform für Anwendungen im Spannungsbereich von 3,3kV bis 6,5kV

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Infineon erweitert sein Portfolio an Hochspannungsbauteilen mit einem neuen Gehäuse: XHP3. Diese IGBT-Modulplattform wurde laut Hersteller für High-Power-Anwendungen im Spannungsbereich von 3,3kV bis 6,5kV entwickelt.



Das XHP 3-Gehäuse hat die Maße 140mm Länge, 100mm Breite und 40mm Höhe. Die ersten IGBT-Module dieser neuen Plattform für hohe Leistung verfügen über eine Halbbrückentopologie mit einer Sperrspannung von 3,3kV und einem Nennstrom von 450A. Es werden gleichzeitig zwei verschiedene Isolationsklassen auf den Markt gebracht: 6kV (FF450R33T3E3) bzw. 10,4kV (FF450R33T3E3_B5).

 

Das Modul ist für Parallelisierung ausgelegt. Systemdesigner können damit die gewünschte Leistungsstufe anpassen: die erforderliche Anzahl von XHP 3-Modulen muss lediglich parallelgeschaltet werden. Um die Skalierung zu erleichtern, bietet Infineon ausgewählte Baugruppen mit abgestimmten statischen und dynamischen Parametern an. Beim Parallelschalten dieser gruppierten Module tritt bei bis zu acht XHP 3-Modulen kein Derating eion.

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