Der TLX9309 besteht aus einer GaAlAs-Infrarot-LED, die optisch mit einem Detektor gekoppelt wird. Der Detektor besteht aus einer Photodiode und einem Transistor, die beide auf einem einzigen Chip untergebracht sind. Eine Faradaysche Abschirmung ist auf dem Photodetektor-Chip integriert und realisiert eine Gleichtaktstörfestigkeit von bis zu 15 kV/μs.

Durch Trennung der Fotodiode und des Verstärkungstransistors wird die Kollektor-Kapazität gesenkt, was wiederum Laufzeitverzögerungen verringert und den TLX9309 mit offenem Kollektor laut Toshiba schneller macht als Optokoppler mit Transistor-Ausgang. Die garantierten Laufzeitverzögerungen betragen zwischen 0,1 μs und 1,0 μs, wobei die Differenz zwischen dem Wechsel von High nach Low und dem Wechsel von Low nach High (|tpLH-tpHL|) nicht mehr als 0.7μs beträgt.

Der Baustein ist mit einer Isolationsspannung von 3750 Vrms spezifiziert. Die Luft- und Kriechstrecke beträgt min. 5,0 mm für die Schutzisolation. Er wird mit einer Versorgungsspannung zwischen -0.5 und 30 V Gleichspannung betrieben und kann mit bis zu 25 mA bei Ausgangsspannungen bis zu 20 V laufen. Das Gleichstrom-Übertragungsverhältnis liegt im Bereich zwischen 15 % und 300 %.

Der TLX9309 ist in einem fünfpoligen SO6-Gehäuse mit den Abmessungen 3,7 mm x 7,0 mm x 2,2 mm untergebracht und er ist ausgelegt für einen Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C. Das IC ist gemäß AEC-Q101 qualifiziert zur Verwendung in Automotive-Anwendungen.