Das Hyper-Bus Speicher-Portfolio läuft unter der Bezeichnung HyperRAM 2.0 und umfasst dynamisches Hochgeschwindigkeits-RAM (DRAM) mit Self-Refresh mit einer Kapazität von bis zu 128 MBit. Diese Speicher eignen sich als Erweiterungsspeicher für Embedded Systeme. HyperRAM 2.0 bietet HyperBus- und aktuell eine Octal-SPI-Schnittstelle.
HyperRAM ist ein Self-Refresh-DRAM. Die 24-Pin-HyperBus-Schnittstelle arbeitet mit Double Data Rate (DDR) und kann einen Durchsatz von bis zu 400 MByte/s skalieren. Damit ist der Baustein als Erweiterungsspeicher für Controller mit begrenztem on-Board-RAM einsetzbar. Der Speicher im 24-Ball-BGA-Gehäuse wird über wenige Pins auf der Platine platziert und unterstützt laut Glyn die höheren Leistungen und den geringeren Stromverbrauch aktueller MCUs.
Bei Verwendung als „Notizblock-Speicher“ werden hochauflösende Grafiken zu Beginn des Systemstart-Prozesses sofort bereitgestellt. Im Ruhemodus wird der Stromverbrauch deutlich reduziert.
Anwendungen
Einsatzgebite für HyperRAM 2.0 Speicher sind unter anderem Kfz-Kombiinstrumente, industrielle HMIs, IoT-Anwendungen sowie industrielle Bildverarbeitungs- und Anzeigesysteme für die Unterhaltungselektronik.
Technische Eckdaten:
- JEDEC Expanded SPI (xSPI)
- Brandbreite von bis 400 MByte/s (3.200 MBit/s)
- Kapazitäten von 64 MBit bis 128 MBit
- Betriebsspannungsbereich 1,7V bis 2,0V und 2,7V bis 3,6V
- Temperaturbereiche: Industrie (-40°C bis 85°C), Industrie Plus (-40°C bis 105°C), Automotive Grade 3 (-40°C bis 85°C) und Automotive Grade 2 (-40 °C bis 105°C)
- AEC-Q100 zertifiziert
- 24-Ball-BGA-Gehäuse mit 6mm x 8mm
