Hybrid-IGBTs mit integrierter SiC-Diode

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Rohm kündigt mit seiner RGWxx65C-Serie (RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR) Hybrid-IGBTs mit einer integrierten 650-V-SiC-Schottky-Barrierediode an. Die Bauelemente im TO-247N-Gehäuse sind für Nennströme von 30A, 40A und 50A ausgelegt und AEC-Q101 qualifiziert. Sie eignen sich für Automobil- und Industrieanwendungen.





Die RGWxx65C Serie verwendet die verlustarmen SiC-Schottky-Barrier-Dioden von Rohm als Freilaufdiode. Diese Diode weist laut Hersteller nahezu keine Erholungsenergie auf. Da der Rückspeisestrom beim Einschalten nicht vom IGBT verarbeitet werden muss, wird der Einschaltverlust des IGBT reduziert. Beides zusammen führt beim Einsatz in Kfz-Ladegeräten nach Angabe von Rohm zu einem bis zu 67% geringeren Verlust im Vergleich zu herkömmlichen IGBTs und 24% weniger Verlust gegenüber Super-Junction-MOSFETs. 

Die RGWxx65C Serie ist als Muster und ab Dezember 2021 in Serie erhältlich.

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