16.05.2018

Hochstrom-Foto-Relais

Toshiba Electronics Europe stellt das Fotorelais TLP3122A für Automatisierungstechnik und andere industrielle Anwendungen vor. Das Relais enthält MOSFETs, die im Toshiba U-MOS-IX-Prozess gefertigt werden. Im 4-poligen SO6-Gehäuse bietet das TLP3122A eine Spitzensperrspannung (VOFF) von 60 V, einen Dauerlaststrom (ION) von 1,4 A bzw. im Pulsbetrieb einen Laststrom (IONP) von bis zu 4,2 A.


Bild: Toshiba

Der Durchlasswiderstand (RON) beträgt maximal 0,25 Ω (typ. 0,13 Ω), der Leckstrom 1 μA. Das Relais bietet Schaltzeiten von max. 3 ms (tON) und max. 1 ms (tOFF), die Isolationsspannung beträgt 3750Veff. Es ist nach UL1577 für sicherheitskritische Anwendungen zugelassen.

 

Da das TLP3122A normalerweise offen ist, eignet es sich als Ersatz für mechanische Relais vom Typ 1-Form-A. Das Bauteil ist für einen Betriebstemperaturbereich von -40 bis 110 °C ausgelegt.

 

Das TLP3122A ist aufwärtskompatibel zum TLP3122 im 2,54-SOP4-Gehäuse. Durch den höheren Laststrom eignet es sich laut Hersteller als Ersatz für verschiedene mechanische Relais.


 


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