Hochfrequenz-Leistungstransistoren in LDMOS-Technologie

PRODUKT NEWS

STMicroelectronics ergänzt die LDMOS-Transistoren seiner Stpower-Familie. Es handelt sich dabei um drei verschiedene Produktserien, die laut Hersteller für HF-Leistungsverstärker in einer Vielzahl von kommerziellen und industriellen Anwendungen optimiert sein sollen.



Die Stpower-LDMOS-Transistoren der Serien IDCH und IDDE bestehen aus für 28V bzw. 32V ausgelegten, lateralen Anreicherungs-Feldeffekt-HF-Leistungstransistoren in Common-Source-N-Kanal-Ausführung. Die IDCH-Bausteine wenden sich mit Ausgangsleistungen von 8W bis 300W an Anwendungen mit Frequenzen bis zu 4GHz, darunter ISM-Applikationen (Industry, Scientific, Medical) mit 2,45GHz, die Mobilfunk-Infrastruktur und die Satellitenkommunikation sowie Avionik- und Radar-Equipment. Die LDMOS-Bausteine sind für alle Arten von Modulationsformaten einsetzbar.

Die IDDE-Serie besteht aus Versionen mit 10W bis 700W, konzipiert für breitbandige Anwendungen mit Frequenzen bis zu 1,5GHz. Die Bausteine verkraften durch alle Phasen ein Last-VSWR (Voltage Standing Wave Ratio) von 10:1 und eignen sich für sämtliche gängigen Modulationsformate sowie die meisten Betriebsarten von HF-Leistungsverstärkern (Klasse A, AB oder C). 

Zusätzlich wurden von ST Bausteine der IDEV-Serie eingeführt, bei denen es sich um für 50V ausgelegte, laterale Anreicherungs-Feldeffekt-HF-Leistungstransistoren in Common-Source-N-Kanal-Ausführung handelt. Mit Ausgangsleistungen von 15W bis 2,2kW ist das IDEV-Portfolio für ISM-Anwendungen mit Frequenzen bis 250 MHz vorgesehen, wie etwa zum Ansteuern von CO2-Lasern hoher Leistung, Plasmageneratoren, MRI-Systeme und FM-Rundfunksender im Frequenzbereich von 88 bis 108MHz, außerdem für Avionik- und Radar-Anwendungen bis 1,5GHz. Die Bauelemente kommen für alle Modulationsformate sowie für Leistungsverstärker der Klassen A, AB und C in Frage.

Die Serie ist für eine Dauerstrich-Ausgangsleistung von bis zu 2,2kW und Frequenzen vom HF-Bereich (3 bis 30MHz) bis zu 250MHz ausgelegt. Mit ihrer hohen Leistung in einem einzigen Keramikgehäuse reduzieren diese Bauelemente die Zahl der insgesamt notwendigen HF-Leistungstransistoren in Hochleistungs-Anwendungen (z. B. Rundfunksendern). 

Die vorläufigen Preise der Bausteine liegen je nach Variante zwischen 15 und 100 US$.

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