Der High-Side- und Low-Side Gate-Treiber IXD2012NTR ermöglicht die Ansteuerung von zwei N-Kanal-MOSFETs oder IGTBs in einer Halbbrückenkonfiguration. Er arbeitet über einen Spannungsbereich von 10V bis 20V und unterstützt High-Side-Schalter von bis zu 200V im Bootstrap-Betrieb. Seine Logikeingänge sind mit Standard-TTL- und CMOS-Pegeln bis zu 3,3V kompatibel.
Die Gate-Treiberströme sind 1,9A an der Quelle und 2,3A an der Senke. Die eingebaute Logik zum Schutz vor Querschlüssen verhindert das gleichzeitige Einschalten der High- sowie Low-Side-Ausgänge. Der Treiber kommt im SOIC(N)-8-Gehäuse und kann in einem Temperaturbereich von -40 bis +125°C betrieben werden.
Technische Eckdaten
- Steuert zwei N-Kanal-MOSFETs oder IGTBs in einer Halbbrückenkonfiguration.
- Betriebsspannungsbereich: 10V bis 20V
- Betrieb bei bis zu 200V in einer Bootstrap-Konfiguration.
- Logikeingänge kompatibel mit TTL- und CMOS-Pegeln bis zu 3,3V
- Ausgangsstrom-Treiberfähigkeit: 1,9A an der Quelle und 2,3A an der Senke
- Querleitungsschutz
- Industriestandard Pinout
- Mögliche Anwendungen
- DC/DC-Wandler
- AC/DC-Wechselrichter
- Motorsteuerungen
- Klasse-D-Leistungsverstärker
Verfügbarkeit
Der IXD2012NTR High- und Low-Side Gate-Treiber ist im Band- und Rollenformat in Mengen von 3.000 Stück erhältlich. Muster sind verfügbar.
