Die Treiber verfügen über 5V-LDO-Spannungsregler für die Hoch- und Niederspannungsseite, einer High-Side-Bootstrap-Diode und Schutzfunktionen einschließlich Unterspannungssperre (UVLO) in einem QFN-Gehäuse.

• Ein integrierter Schnellstart-Spannungsregler stabilisiert die Versorgungsspannung für die Ausgangsstufe des Treibers und sorgt für eine konstante Gate-Steuerung, während ein eingebauter Komparator beide GaN-Schalter bei Überstrom abschaltet. Die Abschaltung (SmartSD) hält die Schalter automatisch lange genug ausgeschaltet, um eine Abkühlung zu ermöglichen, und ein Fehlerpin meldet Überstrom, Übertemperatur und UVLO.
• Die integrierten LDOs verfügen über eine hohe Strombelastbarkeit und bieten separate Sink- und Source-Wege, mit einem Sink-Strom von bis zu 1,8A/1,2Ω und einem Source-Strom von 0,8A/4,0Ω. Die Ausgangsarchitektur des Gatetreibers erlaubt es Designern, die Ein- und Ausschaltimpedanz zu differenzieren, um dV/dt und dI/dt zu optimieren und so den Einsatz von Abschaltdioden zu vermeiden. Dies ermöglicht eine geringere Stückliste, reduzierte Gate-Schleifeninduktivität und ein schnelleres Abschalten mit größerer Sicherheit gegen unerwünschtes induziertes Einschalten.
• Mit 20V-toleranten Logikeingängen und einem Abschaltpin zur Energieeinsparung in inaktiven Phasen erleichtern die STDRIVEG212 und STDRIVEG612 das Systemdesign und die Integration. Das Evaluierungsboard EVLSTDRIVEG212 ist für beide Bauteile geeignet und ab sofort verfügbar.

Die Treiber STDRIVEG212 und STDRIVEG612 sind für den Betrieb von -40°C bis 125°C ausgelegt. Beide sind in Produktion und in einem 4mm x 5mm QFN-Gehäuse mit einem Preis ab 1,25USD bei Abnahme von 1000 Stück erhältlich.