Bei den strahlungsfesten Schottky-Dioden handelt es sich um Bauelemente mit Nennspannungen von 45V und 150V mit SEB-Immunität bis zu einem linearen Energietransfer (LET) von 61MeV/cm2/mg. Diese laut ST branchenweit ersten SEB-klassifizierten Schottky-Bauelemente sind für den Einsatz in zahlreichen Wandler-Topologien geeignet. Die 150-V- und 45-V-Bausteine können direkt an den in Satelliten verwendeten 100-V- und 28-V-Stromversorgungs-Bussen betrieben werden. Die Vorwärtsspannung (VF) der 150-V-Versionen beträgt maximal 0,78V bei 40A und 125°C, während die 45-V-Bausteine eine maximale VF von 0,61V aufweisen.

ST bringt insgesamt fünf ESCC-qualifizierte Doppel-Schottky-Bausteine mit gemeinsamer Katode auf den Markt. Es handelt sich dabei um den Typ STPS40A45C mit einer für 45V/2 x 20A dimensionierten Diode im TO-254AA-Gehäuse für Durchsteckmontage. Die Versionen STPS80A45C (45V/2 x 4 A), STPS60A150C (150V/2 x 30A) und STPS80A150C (150V/2 x 40A) besitzen hermetisch dichte oberflächenmontierbare Gehäuse der Bauform SMD.5, während die STPS40A150C (150 V/2 x 20 A) im TO254AA-Gehäuse lieferbar ist.

Bei den Gleichrichterdioden handelt es sich um die Doppeldiode STTH40200C (200V/2 x 20A) im TO-254AA-Gehäuse, die Doppeldiode STTH60200C (200V/2 x 30A) und die Einzeldiode STTH60400 (400V/60A) im hermetisch dichten SMD1-Gehäuse.

Die strahlungsfesten Gleichrichter und Schottky-Dioden von ST bieten eine durch Charakterisierung garantierte Beständigkeit gegen eine Gesamtdosis ionisierender Strahlung (Total Ionizing Dose; TID) von bis zu 3 Mrad (Si) aus. Der Spannungsabfall ist bei vier verschiedenen Betriebsströmen garantiert, damit aus Einfachheitsgründen ein und derselbe Bausteintyp für unterschiedliche Stromversorgungs-Designs eingesetzt werden kann.