SDRAMs mit 2 bis 8 GB arbeiten mit 1,1 und 1,8V

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©Glyn/ISSI

Bei Glyn sind die SDRAMs LPDDR4X SDRAM von ISSI (Integrated Silicon Solution) erhältlich, die mit Spannungen ab 1,1V betrieben werden können. Sie wurden außerdem für den Einsatz in flachen und mobilen Geräten ausgelegt.

Die SDRAMs LPDDR4 und LPDDR4X sind Niederspannungs-Speicherbausteine , die mit 1,1V bzw. 1,8V Versorgungsspannung auskommen. Sie sind in den Kapazitäten 2 GB, 4 GB und 8 GB erhältlich.

Der niedrige Energiebedarf dieser Derivate macht sie für mobile Anwendungen geeignet. Darüber hinaus sind Sie für energiesensible Applikationen verwendbar, bei denen sich durch Limitierung der Energieversorgung funktionale Einschränkungen ergeben würden. Im Automobilbereich kann der LPDDR4-Speicher durch seine Bandbreite und die energetischen Vorteile beispielsweise in Infotainment- oder Fahrerassistenz-Systemen eingesetzt werden.


Wie funktioniert der Hochgeschwindigkeitsbetrieb?

Beide ISSI-SDRAMs verwenden eine Architektur mit doppelter Datenrate, um einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb zu realisieren. Es handelt sich um eine 16n-Prefetch-Architektur mit einer Schnittstelle, die zum Übertragen von zwei Datenwörtern pro Taktzyklus ausgelegt ist. Diese Geräte bieten vollständig synchrone Operationen, die sowohl auf der steigenden als auch auf der fallenden Flanke des Takts operieren. Um eine sehr hohe Bandbreite zu erreichen, werden die Datenpfade intern weitergeleitet und vorab abgerufen.


Taktfrequenzbereich geht bis 1.600 MHz

Die SDRAMs bieten einen Taktfrequenzbereich von 10MHz bis 1.600MHz sowie Datenraten von bis zu 3.200 MBit/s pro E/A. Diese Geräte sind mit acht internen Bänken pro Kanal für den gleichzeitigen Betrieb konfiguriert. Sowohl der LPDDR4 als auch der LPDDR4X bieten programmierbare Lese- und Schreiblatenzen in programmierbaren und "On-the-fly"-Burstlängen.


Technische Eckdaten:

  • Niederspannung: LPDDR4: 1,8V/LPDDR4X: 1,1V
  • Niederspannungs-E/A: LPDDR4: 1,1V/LPDDR4X: 0,6V
  • Frequenzbereich: 10 bis 1600MHz
  • E/A-Datenraten: 20 MBit/s bis 3200 MBit/s
  • Acht interne Blöcke pro Kanal für gleichzeitigen Betrieb
  • Gleichzeitige Befehls-/Adresseingänge mit doppelter Datenrate
  • Mobile Funktionen für geringeren Stromverbrauch
  • On-Chip-Temperatursensor für Selbstauffrischungs-Steuerung
  • Selbstauffrischung von Teilarrays (PASR)
  • 10mm x 14,5mm BGA-200-Gehäuse
  • Taktfrequenz: 1,6GHz
  • Speicherschnittstelle: parallel
  • Betriebstemperatur: -40°C bis 125°C
  • Gehäusevarianten: 200-TFBGA bis 200-WFBGA
     
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