Die Gate-Treiber-Optokoppler für kleine bis mittelgroße MOSFET- und IGBT-Ansteuerungen vorgesehen. Mit isolierten Gate-Treibern lassen sich Hochspannungs-Leistungsbauelemente zuverlässig von der Niederspannungs-Steuerseite aus ansteuern.

Technische Details

Die Serie ist insbesondere geeignet für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs und IGBTs in Anwendungen von erneuerbaren Energien und in der industriellen Automatisierung, etwa in Photovoltaik-Wechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USVs) und Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EVs), die unter anspruchsvollen thermischen Bedingungen betrieben werden.

Alle drei Bausteine der Serie sind dafür ausgelegt, kleine bis mittelgroße Leistungsbauelemente sowie IGBTs anzusteuern.

• Der TLP5791H bietet eine Spitzen-Ausgangsstromleistung von -1A/+1A für High-/Low-Level-Ausgänge (IOLH/IOHL), mit einer Einschalt-Unterspannungssperre (UVLO) von maximal 9,5V (VUVLO+), einer Abschalt-Unterspannungsschwelle von mindestens 7,5V (VUVLO-) und einer typischen UVLO-Hysterese (VUVLOHYS) von 0,5V.
• Beim TLP5794H reicht der Spitzen-Ausgangsstrom von -6A/+4A IOLH/IOHL, mit einem VUVLO+ von maximal 13,5V, einem VUVLO- von mindestens 9,5V und einer typischen VUVLOHYS von 1,5V.
• Der TLP5795H erreicht -4,5A/+5,3A für den Spitzen-Ausgangsstrom (IOLH/IOHL), mit einem VUVLO+ von maximal 13,5V, einem VUVLO- von mindestens 11,1V und einer typischen VUVLOHYS von 1V.

Die Bausteine haben einen Rail-to-Rail-Ausgang, wodurch Schaltvorgänge mit minimalem Spannungsabfall gegenüber der Versorgungsspannung realisiert werden können. Diese Eigenschaft ist vorteilhaft in Anwendungen, bei denen Schaltungen mit niedrigen Spannungen betrieben werden oder Signale über den gesamten Bereich der Versorgungsspannung verarbeitet werden müssen.

Temperaturbereich von -40°C bis +125°C

Darüber hinaus hat der Hersteller nach eigenen Angaben die Lichtausbeute der infraroten Leuchtdiode (LED) auf der Eingangsseite verbessert und das Design des lichtempfindlichen Elements (Photodioden-Array) im Vergleich zur aktuellen Produktreihe optimiert. Diese Verbesserungen erhöhen die optische Kopplungseffizienz des Bausteins und ermöglichen den Betrieb in einem Temperaturbereich von -40°C bis +125°C. Zudem hat Toshiba die Signallaufzeit (Propagation Delay Time) sowie die Laufzeitabweichung (Propagation Delay Skew) innerhalb dieses Temperaturbereichs standardisiert.

Die TLP579xH-Serie ist in einem SO6L-Gehäuse untergebracht. Die Produkte verfügen über eine minimale Kriechstrecke von 8mm sowie eine Isolationsspannung von 5000VRMS, wodurch sie sich für den Einsatz in Geräten eignen, die eine hohe Isolationsfestigkeit erfordern.