Die Technologie ist für hochfrequent schaltende Stromversorgungen mit Hochvolt-Zwischenkreisen bis hin zu geplanten 1.500-V-Verteilungsarchitekturen vorgesehen. Die höhere Spannungsfestigkeit soll den Einsatz von GaN-Schaltern in Bereichen ermöglichen, die bisher unter anderem mit Siliziumkarbid-Bauelementen oder mit in Reihe geschalteten GaN-Komponenten realisiert werden. Durch die Verwendung eines einzelnen Bauelements können Schaltungen mit gestapelten Transistoren und der dafür erforderlichen Ansteuerung vermieden werden.
GaN-Leistungsschalter ermöglichen höhere Schaltfrequenzen als die im Ausgangsmaterial angeführten SiC-Alternativen. Dies kann kleinere passive Bauelemente und eine höhere Leistungsdichte in Stromversorgungen ermöglichen.
PowiGaN-ICs mit einer Spannungsfestigkeit von 1.700V werden bereits für einstufige Hilfsstromversorgungen in Rechenzentren eingesetzt. Varianten mit 1.250V sind für den Hauptleistungspfad von Rechenzentren mit einem 800-VDC-Zwischenkreis vorgesehen und können dort gestapelte Schalteranordnungen ersetzen.
Die neue 2.200-V-Technologie erweitert den verfügbaren Spannungsbereich für Stromversorgungen mit höheren Zwischenkreisspannungen. Konkrete Bauteiltypen, Gehäuse, Stromwerte, Schaltfrequenzen oder Verfügbarkeitstermine enthält das Ausgangsmaterial nicht.
Anwendungsbereiche
Die Technologie ist für Stromversorgungen in KI-Rechenzentren, Elektrofahrzeugen und industriellen Leistungswandlungssystemen vorgesehen. Weitere Einsatzbereiche sind Photovoltaik-Wechselrichter, Batterie-Energiespeichersysteme und HVDC-Infrastrukturen.
