GaN-Leistungsstufe für Leistungswandler-Lösungen mit hoher Leistungsdichte

STROMVERSORGUNG DISTRIBUTION

Die Gallium-Nitrid (GaN)-Leistungsstufe LMG341xR050 von Texas Instruments ist jetzt bei Mouser-Electronics erhältlich. Mit integriertem Gate-Treiber und Schutzfunktionen ermöglicht der Baustein mit 600V und 50 Milliohm Leistungswandlungs-Systeme für Industrie- und Verbraucher-Netzteile mit hoher Leistungsdichte, Hochspannungs-Akkuladegeräte, Solarwechselrichter und mehrstufige Wandler.



Die GaN-Leistungsstufe TI LMG341xR050 bietet laut Distributor zahlreiche Vorteile gegenüber Silizium-MOSFETs, darunter niedrige Eingangs- und Ausgangskapazität, geringes Überschwingen zur Verringerung elektromagnetischer Interferenzen (EMI) und Sperrverzögerung von Null, um Schaltverluste um bis zu 80 Prozent zu reduzieren. Der integrierte Gate-Treiber des Bausteins unterstützt Schaltungen mit 100 V/ns mit Vds-Überschwingen von beinahe Null, während die getrimmte Gate-Vorspannung zur Kompensierung von verschiedenen Schwellenwerten für eine zuverlässige Schaltung sorgt. Dadurch sind Entwickler in der Lage, die Leistung und Zuverlässigkeit jeder Stromversorgung zu optimieren, einschließlich dichter und effizienter Topologien, wie z.B. Totem-Pole-Leistungsfaktorkorrektur.

Die GaN-Leistungsstufe enthält Schutzfunktionen, die keine externen Schutzkomponenten erfordern. Das Bauelement bietet einen Übertemperaturschutz und Festigkeit gegen Überspannungstransienten sowie eine Unterspannungssperre (UVLO) auf allen Versorgungsschienen. Darüber hinaus verfügt sie über einen Überstromschutz mit einer Reaktionszeit von weniger als 100ns sowie über eine Flankensteilheit von mehr als 150 V/ns.

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