Die neuen Bauteile bieten laut Hersteller optimierte Kennwerte für eine bessere Schaltleistung in Zielanwendungen. Im Vergleich zu Wettbewerbern und früheren Produktfamilien von Infineon sollen die CoolGaN-Transistoren 650 V G5 eine um bis zu 50 Prozent geringere, in der Ausgangskapazität gespeicherte Energie (E oss), eine um bis zu 60 Prozent verbesserte Drain-Source-Ladung (Q oss) und eine um bis zu 60 Prozent geringere Gate-Ladung (Q g) bieten.
Die Produktfamilie der Hochvolt-Transistoren bietet eine Vielzahl von R DS(on)-Gehäusekombinationen. Es stehen zehn R DS(on)-Klassen in verschiedenen SMD-Gehäusen zur Verfügung, darunter ThinPAK 5x6 , DFN 8x8, TOLL und TOLT.
Die Zielanwendungen ...
für diese Produktfamilie reichen von Schaltnetzteilen für Unterhaltungselektronik und Industrie-Anwendungen, wie USB-C-Adapter und -Ladegeräte, Beleuchtung, Fernseher, Schaltnetzteile für Rechenzentren und Telekommunikationsanlagen, bis zur Gewinnung von erneuerbaren Energien und Motorantrieben in Haushaltsgeräten.
