Bislang verwendete Silizium-MOSFETs, die als Leistungsschalter in Mobiltelefonen genutzt werden, können beim Schnellladen zu Temperaturanstiegen und Leistungsverlusten führen. Die Technologie InnoGaN bietet laut Anbieter Vorteile hinsichtlich Hochfrequenz, Effizienz und Widerstand und enthält keine parasitären Dioden.
Ein BiGaN-HEMT kann verwendet werden, um Rücken-an-Rücken-verbundene NMOS-MOSFETs in einer gemeinsamen Source-Konfiguration zu ersetzen. Dadurch wird ein bidirektionales Schalten der Lade- und Entladeströme der Batterie erreicht. Laut Unternehme reduziert das den Durchlasswiderstand um 50%, die Chipgröße um 70% und den Temperaturanstieg um 40%.
Der erste BiGaN-Baustein …
mit der Bezeichnung INN040W0488 ist ein bidirektionaler 40-V-GaN-auf-Silizium-HEMT im WLCSP-Gehäuse mit den Abmessungen 2,1mm x 2,1mm. Der Chip unterstützt bidirektionales Schalten mit einem Einschaltwiderstand von 4,8mΩ. BiGaN zielt auf Anwendungen wie Überspannungs-Schutzschaltungen zum Laden von Smartphones, High-Side-Lastschaltkreise und Schaltkreise für Multi-Power-Systeme ab.
Eine Anwendung
Der Hersteller OPPO, nutzt die BiGaN-HEMTs in seinen Mobiltelefonen als Lastumschalter für direktes Laden. Dadurch soll Platz gespart und der Temperaturanstieg während des Schnellladens reduizert werden.
