23.08.2019

GaN-FETs mit On-Widerstand von 35mΩ

Die 3. Generation der transphorm-GAN-FETs (Vertrieb: Hy-Line Power Components) erlauben stabileres und störungsärmeres Schalten in kompakten Stromversorgungen. Sie haben jetzt Automotive-Qualifikationstests bestanden. Eine GaN-FET-Linie ist jetzt bis 175°C auch nach Automotive-Kriterien qualifiziert.


Bild: Hy-Line Power Components

Die dritte Generation der Industrie-JEDEC-qualifizierten Hochspannungs-Galliumnitrid-Plattform von transphorm hat zusätzlich die AEC-Q101-Stresstests des Automotive Electronics Council für diskrete Halbleiter in Automobilqualität bestanden.


Das ist auch außerhalb von Automobil-Anwendungen von Vorteil. Sie bieten damit 25°C mehr Spielraum als Standard-qualifizierte Hochspannungs-Silizium-MOSFETs und damit Stromversorgungsentwicklern mehr thermische Reserven.



Die Halbleiter ...

zeigen eine Field Failure FIT Rate von 3, die mit der von Siliziumkarbid-Bausteinen gleichzieht. Damit sind die Halbleiter laut Anbieter im Industriebereich hochzuverlässig.


Der GaN FET der 3. Generation bietet einen typischen On-Widerstand von 35mΩ in einem TO-247-Gehäuse. Wie sein Vorgänger TPH3205WSBQA mit 50mΩ ist er damit für AC/DC-Ladegeräte und Netzgeräte, stationär und mobil, DC/DC-Wandler und DC/AC-Wechselrichtersysteme, Plug-in-Hybrid-Elektrofahrzeuge (PHEVs) und Batterie-Elektrofahrzeuge (BEV), hochzuverlässige Industrieanlagen und USVs oder jahrzehntelang wartungsarm und effizient zu betreibende Anlagen der regenerativen Energiegewinnung geeignet.


Die GaN-FETs bieten eine Schwellenspannung bei 4V, Plateau bei 8V und eine Robustheit des Gates bis zu ±20V. Muster und Evaluation Boards sind bei Hy-Line Power Components verfügbar.


 


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