GaN-basierte Bausteine für integrierte Leistungsstufen

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International Rectifier stellte eine Familie für integrierte Leistungsstufen vor, die auf einer Gallium-Nitrid (GaN) Technologieplattform basiert. Die Bausteinfamilie iP2010 und iP2011 wurde für Mehrphasen- und Point-of-Load-(POL-) Anwendungen entwickelt, zu denen unter anderem Server, Router, Schalter und universelle POL-DC/DC-Wandler zählen.

 

In die Chips ist das Treiber-IC PowIRtune integriert, das auf einen monolithischen GaN-basierten Multi-Switch-Leistungsbaustein abgestimmt ist. Diese Bausteine sind in einer Flip-Chip-Gehäuseplattform montiert. Der iP2010 weist einen Eingangsspannungsbereich von 7V bis 13,2V sowie eine Ausgangsspannungsbereich von 0,6V bis 5,5V bei einem Ausgangsstrom von bis 30A auf. Der Baustein arbeitet bis 3MHz.

 

Dagegen ist der bis 5MHz arbeitende, Pin-kompatible iP2011bei gleichem Eingangs- und Ausgangsspannungsbereich dadurch gekennzeichnet, dass er für einen Ausgangsstrom bis 20A optimiert ist. Beide Bausteine, die in einem LGA-Gehäuse ausgeliefert werden, eignen sich für eine doppelseitige Kühlung und sind RoHS-konform.

 

Die Preise für den iP2010TRPbF bzw. den iP2011TRPbF beginnen bei je 9,00 USD bzw. bei je 6,00 USD in Stückzahlen von 2.500. Muster und Eva-Boards sind verfügbar.

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