17.12.2004

GaAs-MESFET-Schalter

Winzling


Toshiba hat einen Gallium-Arsenid Metall-Halbleiter Feldeffekttransistor (MESFET) entwickelt, der die Funktion eines einpoligen Umschalters aus√ľbt. Der HF-Umschalter eignet sich f√ľr Multiband/Multimode Antennen-Umschalter sowie f√ľr Module f√ľr Bluetooth- und WLAN-Anwendungen. Der TG2217CTB SPDT-Umschalter wird in einem 6-Pin-CSP-Geh√§use mit Bauh√∂he ausgeliefert, das die Abmessungen 1,0mm x 1,0mm x 0,38mm aufweist. Der Baustein arbeit im Frequenzbereich von DC bis zu 3GHz und ben√∂tigt zwei positive Steuerspannungen, die gleichzeitig als Bias-Versorgung dienen. Durch die niedrigen Steuerspannungen wird ein Schalten mit 2,4V erm√∂glicht. Als monolithischer Mikrowellen-IC (MMIC) bietet der GaAs-MESFET 0,35dB Einf√ľged√§mpfung bei 1GHz (0,40dB bei 2GHz) sowie 24dB Entkopplung bei 1 und 2GHz. Muster sind zum Preis von je 0,20US$ erh√§ltlich. Mit Beginn der Massenproduktion im ersten Quartal 2005 wird auch der endg√ľltige Preis feststehen.

 


 


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