Fotorelais für Halbleitertestgeräte

EMBEDDED SYSTEMS MESSTECHNIK

Mit TLP3487 und TLP3491 stellt Toshiba Electronics Europe zwei Fotorelais im P-SON4-Gehäuse für Halbleitertestgeräte vor. Die MOSFET-Ausgangsrelais schalten bis zu 2A und weisen im AUS-Zustand einen Leckstrom von 1nA bei 40V beziehungsweise 10nA bei 60V auf.



In Halbleitertestsystemen werden Spannungen und Ströme an die einzelnen Pins eines Device under Test (DUT) angelegt. Die Strom- und Signalpfade müssen dabei für jeden Pin geschaltet werden, wobei Leckströme der Relais im ausgeschalteten Zustand die Messungen beeinflussen können.

TLP3491 und TLP3487 kombinieren deshalb einen Einschaltstrom von maximal 2,0A mit niedrigen Leckströmen. Der MOSFET-Ausgangsbereich wurde dafür entsprechend ausgelegt. Bei Anwendungen mit höheren Strömen können die Fotorelais als Einzelbaustein eingesetzt werden, anstatt mehrere Bauteile zu kombinieren. Dadurch lassen sich die Bauteilanzahl und die benötigte Leiterplattenfläche reduzieren.


Technische Daten

  • Einschaltstrom: Maximal 2,0A
  • Leckstrom TLP3491: 1nA bei 40V im AUS-Zustand
  • Leckstrom TLP3487: 10nA bei 60V im AUS-Zustand
  • Gehäuse: P-SON4
  • Abmessungen: 3,4mm x 2,1mm x 1,3mm
  • Montagefläche: Rund 74% kleiner als bei 2.54SOP4-Fotorelais
  • Montagefläche: Etwa 84% kleiner als bei 2.54SOP6-Gehäusen 
  • Betriebstemperatur: -40°C bis +110°C


Wo braucht man das?

Die Fotorelais sind für automatisierte Testgeräte (ATE), Messinstrumente, Hochgeschwindigkeits-Logik-IC-Tester, Speicher- und SoC-Tester sowie Peripheriegeräte in Halbleitertestumgebungen vorgesehen. Dort können sie Signal- und Strompfade an den Pins eines DUT schalten.