Der Distributor bietet unter anderem folgende elektronische Bauteile für den Schutz vor elektrostatischer Entladung (ESD) an.

• Die ESD-Schutzdiode ESD2CANx-Q1 von Texas Instruments ist eine AEC-Q101-konforme Lösung, die für das Ableiten von Kontakt-ESD-Schlägen gemäß ISO 10605 für die Automobilindustrie ausgelegt ist. Sie verfügt über eine Betriebsspannung von 36V und einen Pinausgang, der für zwei Controller Area Network (CAN)-Busleitungen (CANH und CANL) im Automobilbereich geeignet ist. Das Bauteil bietet Langzeitschutz für fahrzeuginterne Netzwerke (IVNs) wie CAN-FD, CAN mit geringer Fehlertoleranz und Hochgeschwindigkeits-CAN-Systeme, aber auch für industrielle Steuerungsnetzwerke wie DeviceNet und CANopen.
   
• Die bidirektionale ESD-Schutzdiode PESDxVF1BALS-Q von Nexperia wurde zur Unterstützung von Kommunikationsanwendungen wie NFC, Antennen und Hochgeschwindigkeits-Datenleitungen entwickelt. Diese Diode bietet ESD-Schutz bis ±15kV gemäß IEC 61000-4-2. Durch ihre Abmessungen von 1mm x 0,6mm x 0,47mm eignet sie sich für Designs mit begrenztem Platz. Ein Umgebungstemperaturbereich von -55°C bis +150°C und die AEC-Q101-Qualifizierung ermöglichen den Einsatz in rauen Umgebungen wie Automotive-Applikationen.
   
• Die bidirektionalen diskreten TVS-Dioden AQ1205-01UTG von Littelfuse werden mit Silizium-Avalanche-Technologie hergestellt. Diese Diode ist in der Automobilindustrie, bei Batterieschutz- und Batteriemanagementsystemen, Computern und zugehörigen Peripheriegeräten, in der Medizintechnik, Verbraucherelektronik und in Testmessgeräten nutzbar. Mit der TVS-Diode AQ1205-01UTG können Schaltkreise wiederholte ESD-Schläge von ±30kV (Kontakt- und Luftentladung) gemäß IEC 61000-4-2 absorbieren, ohne dass Leistungseinbußen auftreten. Die Diode hat einen Sperrstrom von 20nA (bei einer Spannung von 4,5V) und eine maximale Kapazität von 9pF. Sie ist außerdem AEC-Q101-qualifiziert und für den PPAP-Prozess (Production Part Approval Process) geeignet.
   
• Die Diode PE1403M1Q von PANJIT Semiconductor ist ein ESD-Schutz-Bauteil in einem DFN1006-2L-Gehäuse. Sie weist einen dynamischen Widerstand von 0,88 Ohm auf. Die Diode eignet sich für elektronische Applikationen, bei denen sie Schutz vor Blitzschlag-induzierten, transienten Überspannungen gemäß IEC 61000-4-5 sowie gegen EFT-Effekte und ESD-Schläge von ±18kV in Luft und ±15kV bei Kontakt bietet. Die ESD-Schutzdiode ist konform mit EU RoHS 2.0 und somit bleifrei. Die Anschlüsse sind gemäß MIL-STD-750, Methode 2026 lötbar.