Einpoliger Umschalter für den Frequenzbereich von 9 kHz bis 13 GHz

PRODUKT NEWS

image-28328

Analog Devices bringt einen absorptiven einpoligen Umschalter (Single-Pole, Double-Throw – SPDT) für einen Frequenzbereich von 9 kHz bis 13 GHz, mit einer Isolation von 48 dB und einem Insertion-Loss von 0,6 dB bei 8 GHz.

Der HMC1118LP3DE ist der erste Baustein des neuen Portfolios an HF- und Mikrowellen-Steuerungsprodukten von ADI, das sich die prinzipbedingten Vorzüge der Silizium-Prozesstechnologie zunutze macht. Diese weist laut Hersteller entscheidende Pluspunkte gegenüber früheren HF-Schaltern in GaAs-Technologie (Gallium-Arsenid) auf. Zu den Vorteilen gehören die gegenüber GaAs um den Faktor 100 reduzierte Einschwingzeit, der Schutz gegen elektrostatische Entladungen (ESD) bis 2.000 V (verglichen mit 250 V bei GaAs) sowie die Fähigkeit, das untere Ende des Frequenzbandes um den Faktor tausend niedriger anzusetzen als bei GaAs und gleichzeitig eine hohe Linearität zu wahren.

 

Der HMC1118LP3DE bietet eine HF-Schaltleistung von 4 W im Durchleitungs- und 0,5 W im Hot-Switching-Modus. Der HMC1118LP3DE ist für eine hohe Isolation und eine extrem flache Übertragungs-Charakteristik in einem Frequenzbereich bis 13 GHz ausgelegt, bietet aber andererseits eine hohe Signaltreue bis 9 kHz.

 

Features des elektronischen Umschalters HMC1118LP3DE:

  • Reflexionsfreies 50-Ohm-Design
  • Positive Steuerung : 0/+3,3 V
  • Insertion loss: 0,68 dB bei 8 GHz
  • Isolation: 50 dB bei 8 GHz
  • Cut-off-Frequenz: 9 KHz
  • Einschwingzeit von 7,5 µs auf 0,05 dB vom finalen HF-Ausgangspege
  • Schaltleistung:
    • 35,5 dBm (bei Durchleitung)
    • 27 dBm (bei Abschluss und Hot-Switching)
  • Linearität:
    • P1dB: +37 dBm
    • IIP3: +61 dBm (typ.)
  • ESD-Festigkeit: 2 kV (HBM)
Link(s)

Fachartikel