Der STGAP2SCM besitzt einen speziellen Active-Miller-Clamp-Pin als Lösung zur Unterbindung eines ungewollten Einschaltens des Transistors in Halbbrücken-Konfigurationen. Ist das Gate des MOSFET mit diesem Pin verbunden, wird die Spannung beim Abschalten auf die isolierte Masse geklemmt, bis das nächste echte Einschaltsignal erscheint.

Sämtlichen Gatetreibern des Typs STGAP2S gemeinsam sind die für 4 A ausgelegten Rail-to-Rail-Ausgänge. Die maximal 80 ns betragende Signallaufzeit zwischen Ein- und Ausgang ergibt eine präzise PWM-Ansteuerung bei den hohen Schaltfrequenzen, für die sich SiC-Bauelemente eignen. Die Beständigkeit gegen Gleichtakt-Transienten mit steilen Spannungsflanken unterbindet ungewollte Schaltvorgänge.

Dank der eingebauten galvanischen Isolation bis 1.700 V lässt sich mit diesen Bauelementen laut STM der Bauteileaufwand für die Applikationen reduzieren. Zu den integrierten Schutzfunktionen gehören eine UVLO-Funktion (Under-Voltage Lockout) zum Schutz des Leistungsschalters bei zu starkem Absinken der Versorgungsspannung. Hinzu kommen ein Übertemperaturschutz und eine hardwaremäßige Verriegelungsfunktion, die das gleichzeitige Einschalten des oberen und des unteren Leistungstransistors in Halbbrücken-Schaltungen verhindert. Der ebenfalls eingebaute Standby-Modus hält den Ausgang in einem sicheren Zustand. Designern steht zusätzlich das Evaluation Board EVALSTGAP2SCM als Starthilfe für neue Designs zur Verfügung.

Der sofort lieferbare STGAP2SCM und der ab dem vierten Quartal 2018 verfügbare STGAP2SM werden in Industriestandard-Gehäusen der Bauart SO-8 angeboten und kosten ab 1,49 US-Dollar (ab 1.000 Stück).