Diskrete 650-V-IGBTs

STROMVERSORGUNG

Infineon erweitert die TRENCHSTOP IGBT-Familie der 7. Generation um die diskrete 650-V-Variante IGBT7 H7. Das Bauteil verfügt über eine emittergesteuerte integrierte EC7-Diode und unterstützt schnelles Schalten.



Der TRENCHSTOP IGBT7 H7 wurde für umweltfreundliche und effiziente Stromversorgungen entwickelt und verwendet die aktuelle Trench-Technologie mit Micro-Pattern.

Der IGBT7 ist in einem diskreten Gehäuse untergebracht und liefert bis zu 150A. Das Portfolio umfasst Varianten von 40A bis 150A, die in vier Gehäuseformen angeboten werden: TO-247-3 HCC, TO-247-4, TO-247-3 Plus und TO-247-4 Plus.

Das Bauteil ist für den industriellen Einsatz gemäß den relevanten Tests von JEDEC47/20/22, insbesondere HV-H3TRB, qualifiziert und eignet sich laut Hersteller für Anwendungen im Freien. Der IGBT ist eine Ergänzung für die NPC1-Topologie, die häufig in Anwendungen wie Solar und ESS eingesetzt wird.


Anwendungen

Das Bauteil eignet sich für String-Wechselrichter, Energiespeichersysteme (ESS), Ladeanwendungen für Elektrofahrzeuge, industrielle unterbrechungsfreie Stromversorgungen und für das Schweißen.

Fachartikel