Samsung Electronics hat mit der Massenproduktion eines NAND-Flash-Speichers in 30nm- Technologie begonnen. Das Multi-Level-Cell (MLC) NAND-Memory verfügt über ein Speichervolumen von 32 Gigabit und ist mit einer asynchronen DDR-Schnittstelle (Double Data Rate) ausgestattet.
Die Chips arbeiten mit einer Lesegeschwindigkeit von 133MBit/s. Sie können in SSDs für PCs, in SD-Speicherkarten der Premium-Klasse für Smartphones sowie in Samsungs proprietären moviNAND-Speichern verwendet werden. Darüber hinaus sind sie für PMPs (Personal Media Player), MP3-Player und Navigationssysteme für Fahrzeuge verwendbar. Beim Einsatz von 30nm-DDR-NAND-Speichern können Memory-Karten Lesegeschwindigkeiten von 60MBit/s erreichen.
Das Marktforschungsunternehmen Gartner Dataquest geht davon aus, dass der weltweite Markt für NAND-Flash-Speicher 2009 ein Volumen von 13,8 Mrd. US$ erreicht und bis 2012 auf 23,6 Mrd. US-$ wächst.
