Cree und STMicroelectronics erweitern Liefervertrag für SiC-Wafer

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Cree und STMicroelectronics erweitern einen bestehenden langfristigen Liefervertrag für Siliziumkarbid-Wafer auf einen Umfang von mehr als 500 Millionen US-Dollar. Mit dieser Vereinbarung verdoppelt sich der Wert des ursprünglichen Vertrags zur Lieferung der 150-mm-Siliziumkarbid-Bare- und Epitaxie-Wafern von Cree an STMicroelectronics über die kommenden Jahre.



Siliziumkarbid-Technologien werden u.a. für Elektrofahrzeuge, Solar-, Energiespeicher- und USV-Systeme eingesetzt. Insbesondere im Segment Automotive werden vermehrt Lösungen zur Energieversorgung auf Siliziumkarbidbasis eingesetzt, um den Umstieg auf Elektrofahrzeuge zu beschleunigen. So lassen sich höhere Systemleistungen ermöglichen, die Elektroautos mit größerer Reichweite und schnellerer Aufladung ermöglichen.


Im Industriesektor ermöglichen Siliziumkarbidmodule kleinere, leichtere und kostengünstigere Wechselrichter, die Energie effizienter umwandeln und neue Anwendungen für saubere Energien erschließen.

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