CoolSiC-MOSFETs im 62-mm-Gehäuse

STROMVERSORGUNG

Für die 1200-V- und 2000-V-MOSFETs der Modulfamilien CoolSiC hat Infineon ein weiteres Gehäuse im Industriestandard entwickelt. Die Bausteine befinden sich in 62mm-Gehäusen.



Das 62-mm-Bauelement wurde in Halbbrückentopologie entwickelt und basiert auf der M1H-Technologie für SiC-MOSFETs. Das Gehäuse ermöglicht den Einsatz von SiC für Anwendungen im Leistungsbereich ab 250kW.

Im Vergleich zu einem 62mm-IGBT-Modul können nun zusätzlich Solar-, Server-, Energiespeicher-, EV-Ladestationen-, Antriebs- sowie kommerzielle Induktionskoch- und Stromwandlungssysteme mit den Modulen abgedeckt werden.

Die M1H-Technologie ermöglicht ein erweitertes Gate-Spannungsfenster, das selbst bei hohen Schaltfrequenzen Robustheit gegenüber treiber- und layoutbedingten Spannungsspitzen am Gate besteht.

Das Gehäuse mit Grundplatte und Schraubanschlüssen besitzt ein robustes mechanisches Design. Zuverlässigkeit ist durch thermische Zyklenfestigkeit und eine Dauerbetriebstemperatur (T vjop) von 150°C gegeben. Der symmetrische innere Aufbau des Gehäuses gewährleistet identische Schaltbedingungen für den oberen und unteren Schalter. Optional kann die thermische Leistung des Moduls mit vorappliziertem Thermal Interface Material (TIM) noch verbessert werden.


Verfügbarkeit und Entwicklungsunterstützung

Die CoolSiC-MOSFETs im 62mm-Gehäuse sind in 1200-V-Varianten mit 6mΩ/180A; 2mΩ/420A und 1mΩ/560A erhältlich. Das 2000-V-Portfolio wird die Varianten 4mΩ/300A und 3mΩ/400A umfassen.

Das Portfolio wird in Q1/2024 mit den Varianten 1200V/3mΩ und 2000V/5mΩ vervollständigt. Zur Charakterisierung der Module (Doppelpuls-/Dauerbetrieb) ist ein Evaluation Board erhältlich. Es kann als Referenzdesign für Treiberboards für die Serienproduktion dienen.

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