CMOS-Operationsverstärker für kleine Sensorsignale

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Rohm kündigt die Verfügbarkeit eines CMOS-Operationsverstärkers mit optimiertem Rauschverhalten an. Der LMR1802G-LB hat eine äquivalente Eingangs-Rauschdichte von 2,9nV/√ Hz bei 1 kHz bzw. 7,8nV/√ Hz bei 10 Hz.



Der LMR1802G-LB verfügt über ein SSOP5-Gehäuse mit Abmessungen von 2,9mm x 2,8mm x 1,25mm. Weitere Spezifikationen sind eine Eingangs-Offsetspannung von 450µV, ein Eingangs-Bias-Strom von 0,5pA sowie ein Versorgungsspannungsbereich von 2,5V bis 5,5V. Der Betriebstemperaturbereich liegt zwischen –40°C und +125°C. Den LMR1802G-LB gibt es ab sofort in Muster- und ab Oktober 2018 in OEM-Stückzahlen.

 

Durch die Einführung einer neuen Schaltung in der differentiellen Eingangsstufe konnte Rohm niedriges Rauschen mit einer Phasenlage von 68° und einer kapazitiven Lasttoleranz von 500pF erreichen. Dies trägt dazu bei, eine genaue Spannungsverstärkung von Signalen in der Größenordnung von µV zu ermöglichen.

 

Bei der Konfiguration eines Operationsverstärkers sollte die Ausgangsspannung 0V sein, wenn der Eingang 0V ist. Oft wird jedoch eine Offsetspannung als Fehler erzeugt. Ein großer Eingangs-Bias-Strom am Operationsverstärker beeinflusst selbst bei einer hohen Ausgangsimpedanz des Sensors die Ausgangsspannung des Sensors. Für eine optimale Performance müssen diese beiden Fehlerfaktoren so klein wie möglich gehalten werden. Der LMR1802G-LB erreicht durch eine Eingangs-Offsetspannung von 450µV und einen Eingangs-Bias-Strom von 0,5pA eine genaue Verstärkung.

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