Der bidirektionale 650-V-GaN-Schalter ist mit einem Common-Drain-Design und einer Doppelgate-Struktur ausgestattet. Er nutzt die Gate-Injection-Transistor-Technologie (GIT) von Infineon und kann herkömmliche Back-to-Back-Konfigurationen in Wandlern ersetzen.
Der bidirektionale CoolGaN-Schalter ist für Strom-Umwandlungssysteme vorgesehen. Durch die Integration von zwei Schaltern in einem Bauteil vereinfacht er den Aufbau von Zyklokonverter-Topologien und ermöglicht eine einstufige Stromumwandlung.
Er unterstützt Netzfunktionen wie die Blindleistungskompensation und den bidirektionalen Betrieb.
Mögliche Anwendungen
- Mikro-Wechselrichter
- Energiespeichersysteme (ESS) wie Batterie-Lade- und Entladegeräte
- Aufladen von Elektrofahrzeugen (EV): Der BDS-Schalter unterstützt ein schnelleres Aufladen und ermöglicht gleichzeitig die Vehicle-to-Grid- (V2G) Funktion, bei der die in der Fahrzeugbatterie gespeicherte Energie wieder ins Stromnetz zurückgespeist werden kann.
- Motorsteuerung: Einsatz in Stromquellen-Wechselrichtern (Current Source Inverters; CSI) für industrielle Motorantriebe.
- KI-Rechenzentren