Das MABT-011000 wurde für Anwender entwickelt, die ein für hohe Belastungen ausgelegtes HMIC-Gerät mit geringen Verlusten und hoher Leistung sowie außerordentlicher Reproduzierbarkeit über Millimeter-Frequenzen benötigen. Die breiten Vias (Durchkontaktierungen, vertikale elektrische Verbindung zwischen den Leiterbahnebenen einer Leiterplatte) reduzieren die Induktanz und erleichtern das Anlöten. Die vergoldete Rückseitenmetallisierung sorgt für die HF- und DC-Erdung.
Das MABT-011000 eignet sich für die DC-Vorspannung von PIN-Dioden-Regelkreisen. Das Netzwerk lässt sich sowohl als HF-DC-Entkopplungsnetzwerk als auch als DC-Rückfluss verwenden und enthält einen serienmäßigen DC-Blockkondensator. Es können Gleichstrom bis zu 60mA und Gleichspannung bis zu 50V verwendet werden. Muster des MAAM-011167 sind ab sofort verfügbar.
Technische Parameter des MABT-011000
- Frequenzbereich (HF): 2 bis 18 GHz
- Einfügungsverlust bei 12 GHz: 0,15dB
- HF–DC-Isolierung bei 12 GHz: 60dB
- Eingangs-Rückflussdämpfung bei 12 GHz: 34dB
- Ausgangs-Rückflussdämpfung bei 12 GHz: 37dB