Die FeRAMs vereinen Eigenschaften von SRAMS – die schnellen Schreibvorgänge – mit der „Nichtflüchtigkeit“ eines Flash-Speichers.
Technische Details
- Schnellere und effizientere Funktionalität als EEPROM und SRAM
- Fast-Overwrite von 120 ns: Die Daten werden vor dem Ausschalten oder bei Spannungsverlust sicher gespeichert.
- Lese-/Schreibausdauer von 10^14 Zyklen
- Für einen Temperaturbereich von -40 bis 125°C ausgelegt
- Zertifizierung gemäß Automotive AEC-Q100 verfügbar
- Verwendbar für Automobilanwendungen wie Car Infotainment, Batterie-Management, Advanced Driver Assistance und Event Data Recorder
- Kapazitäten von 64 KBit und 4 MBit verfügbar
- Interfaces: SPI oder I²C
GLYN bietet kurzfristig Muster an.
