Fujitsu Semiconductor Memory Solution gibt den Beginn der Massenproduktion eines 4Mbit FRAM MB85RS4MTY bekannt, das einen Betrieb bis 125°C erlaubt. Der Speicher erfüllt die AEC-Q100 Grade 1, ist mit einer SPI-Schnittstelle ausgestattet und arbeitet mit Versorgungsspannung von 1,8V bis 3,6V. Im Temperaturbereich von -40 bis +125°C garantiert das Bauteil 10 Billionen Lese-/Schreib-Zyklen und einen maximalen Schreibstrom von 4mA (bei 50MHz). Es ist in einem 8-poligen DFN-Gehäuse (Dual Flatpack No-leaded) untergebracht.
