Der Baustein enthält zwei N-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs (Enhancement Mode) mit einem RDS(ON) von 10,9mΩ bei einer VGS von 10V und einem ID von 30,2A. Der niedrige Durchlasswiderstand sorgt für minimale Konduktionsverluste bei Anwendungen wie drahtlosem Laden oder Motorsteuerung. Die typische Gate-Ladung von 14,0nC (VGS 10V; ID 20A) stellt sicher, dass Schaltverluste reduziert werden.
Das thermisch effiziente PowerDI 3333-8 Gehäuse ...
weist einen Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse (Rthjc) von 8,43°C/W auf. Dadurch lassen sich Endanwendungen mit einer höheren Leistungsdichte als bei MOSFETs in einzelnen Gehäusen entwickeln. Die für die Implementierung von Automobilfunktionen, einschließlich ADAS, benötigte Platinenfläche wird dadurch kleiner.
Der DMT47M2LDVQ ist nach AEC-Q100 Grad 1 qualifiziert, unterstützt die PPAP-Dokumentation, wird in IATF 16949-zertifizierten Einrichtungen hergestellt, und ist zum Preis von 0,45US$ in Mengen ab 3.000 Stück erhältlich.
