Die asymmetrische TVS-Diodenserie TPSMB wurde speziell für den Schutz von SiC-MOSFET-Gate-Treibern in Automobilanwendungen entwickelt. Es realisiert den Überspannungsschutz in Elektrofahrzeugsystemen. Es ist eine Einkomponentenlösung, die mehrere Zenerdioden oder TVS-Komponenten ersetzt, die bislang für den Schutz von Gate-Treibern verwendet werden.
Die Dioden bieten laut Anbieter Schutz für SiC-MOSFET-Gate-Treiber, die aufgrund ihrer schnelleren Schaltgeschwindigkeit im Vergleich zu herkömmlichen siliziumbasierten MOSFETs oder IGBTs anfällig für Überspannungsereignisse sind. Das asymmetrische Design unterstützt die unterschiedlichen positiven und negativen Gate-Treiber-Spannungen von SiC-MOSFETs.
Anwendungsbereiche
- Onboard-Ladegeräte (OBCs)
- EV-Traktionswechselrichter
- E/A-Schnittstellen
- Vcc-Busse
Technische Details
- Einkomponenten-SiC-MOSFET-Gate-Treiber-Schutz eliminiert den Bedarf an mehreren Zener- oder TVS-Dioden
- Asymmetrischer Gate-Treiber-Spannungsschutz schützt SiC-MOSFET-Gate-Treiber, die unterschiedliche negative und positive Spannungswerte erfordern.
- Die Serie ist in einem DO-214AA-Gehäuse (SMB J-Bend) erhältlich.
- AEC-Q101-qualifiziert
- 600W Spitzenimpuls-Verlustleistung (10×1000μs Wellenform) bietet Schutz vor transienten Überspannungsereignissen.
- Klemmenspannung VC<10V@30A (8/20µs) für Schutz bei negativem Gate-Drive.
- Stabile Kapazität über einen Betriebsfrequenzbereich bis 2MHz, geeignet für SiC-MOSFET-Anwendungen.
- Geeignet für den Einsatz mit Littelfuse-Komponenten und anderen SiC-MOSFETs für die Automobilindustrie.
- Im Band- und Rollenformat in Mengen von 3.000 Stück erhältlich.
