Siliziumkarbid (SiC) ist ein Material mit großem Potenzial für leistungselektronische Anwendungen in hoch zuverlässigen Systemen für Luft- und Raumfahrt sowie Militärtechnik. Gegenüber herkömmlichem Silizium scheint Siliziumkarbid durch höhere Elektronenbeweglichkeit, Hochtemperaturfestigkeit und höhere Durchbruchspannung ideal für Leistungsschaltkreise geeignet zu sein.
Aber kann SiC diese Erwartungen erfüllen? Die Antwort auf diese Frage finden Sie in einem Fachbeitrag auf channel-e, den Rob Coleman von TT Electronics geschrieben hat.
Anwendungs-Tipps zu SiC-Leistungsbausteinen
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