07.12.2006

Analogschalter im μTQFN-Gehäuse




Intersils Low-Voltage Dual-ISL54050- und Quad-ISL54056-Single-Pole-Double-Throw-(SPDT-)Analogschalter werden im μTQFN-Gehäuse ausgeliefert und sollen im Vergleich zu TDFN- und TQFN-Gehäusen bis zu 72% Platz auf der Leiterplatte einsparen. Die Bauhöhe beträgt 0,5mm. Es handelt es sich um bidirektionale Schalter, die sich auch als Single- bzw. Dual-Differenzial-2:1-Multiplexer nutzen lassen. Beim Betrieb mit 3,3V weist der ISL54050 einen Durchlasswiderstand von 0,27 Ohm auf, beim ISL54056 beträgt dieser Wert 0,45 Ohm. Die Widerstandsflachheit beträgt 0,03 bzw. 0,05 Ohm. Zu den weiteren Leistungsmerkmalen zählen ein Betrieb mit einer Versorgung von +1,65 bis +4,5V, RON-Anpassung zwischen Kanälen mit 0,06 Ohm, ein Leistungsverbrauchswert (PD – Power Consumption Figure) von <0,45 μW, schnelles Schalten (V+ = +4,3 V) mit tON = 40 ns und tOFF = 20 ns, ein ESD-HBM-Wert von >8 kV, eine Break-Before-Make-Funktion und 1,8V-Logikkompatibilität.

 

Zu den Zielapplikationen zählen batteriebetriebene, tragbare Geräte und Handhelds, Mobiltelefone, Pager, Laptops, Notebooks und Palmtops; tragbare Test- und Messgeräte, medizintechnische Geräte sowie das Schalten von Audio- und Videosignalen. Der ISL54050 ist ab sofort im 10-poligen QFN-Gehäuse, der ISL54056 im 16-poligen QFN-Gehäuse verfĂĽgbar. Beide Bausteine sind auch im 10-poligen, 1,8 mm x 1,4 mm x 0,5 mm groĂźen μTQFN- (ISL54050) und im 16-polien, 2,6 mm x 1,8 mm x 0,5 mm groĂźen μTQFN-Gehäuse (ISL54056) verfĂĽgbar. Die Bausteine werden in bleifreien (RoHS-konformen) Gehäusen ausgeliefert.


 


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