Der MOSFET ist für Anwendungen mit Strömen bis 120A ausgelegt und kombiniert ein thermisch optimiertes Gehäuse mit Gull-Wing-Anschlüssen und einer Kupferclip-Struktur. Diese Bauweise reduziert den parasitären Widerstand und verbessert nach Herstellerangaben die Wärmeableitung sowie die Zuverlässigkeit der Lötstellen.
Technische Details
- AEC-Q101-konformer N-Kanal-Leistungs-MOSFET
- Typ: XPJ1R504PB
- Drain-Source-Spannung: 40V
- Dauerstrom: 120A
- Gehäuse: S-TOGL
- für 12-V-Bordsysteme
- Gull-Wing-Anschlüsse
- Kupferclip-Struktur zur Verbindung von Source-Elektrode und Anschlüssen
- maximaler Einschaltwiderstand RDS(ON): 1,54mΩ bei VGS=10V
- transiente thermische Impedanz Zth(ch-c): 0,76°C/W
- dicker Kupferrahmen zur Verbesserung der Wärmeableitung
- Mehrpolstruktur der Source-Anschlüsse zur gleichmäßigeren Stromverteilung
Wo braucht man das?
- Wechselrichter
- Halbleiterrelais
- Lastschalter
- Motorantriebe
- Automotive-Anwendungen mit 12-V-Bordsystemen
