Die Serie verfügt über einen Überstromfehlerausgang mit einer Reaktionszeit von 1,5µs. Mit diesem Fehlerausgang lässt sich ein Kurzschluss erkennen und eine Beschädigung von MOSFETs oder IGBTs in Wechselrichtern, Antriebs- und anderer Schaltleistungselektronik verhindern.
Die Sensoren stehen in zwei Gehäusevarianten zur Verfügung, die jeweils unterschiedlich hohe galvanische Trennung bieten. Das 3 mm x 3 mm große QFN-Gehäuse mit Wettable Flank kann an Spannungsschienen mit bis zu 120 VDC eingesetzt werden. Das SOIC8-Gehäuse mit seinen Standardabmessungen ist UL-zertifiziert für 2400 Veff Isolationspannung und unterstützt eine Betriebsspannung von 420 VDC oder 297 Veff. Die Sensoren werden für den Betrieb an 5 oder 3,3 V angeboten.
