Der Baustein kann in einer klassischen Halbbrückenschaltung Leistungen von 8kW verarbeiten und dabei einen Wirkungsgrad von mehr als 99 Prozent erreichen. Die Schaltverluste durch Ron und Qoss bei resonanten Schalttopologien und Ron und Qrr bei hart schaltenden Topologien sind laut Anbieter zwei- bis fünfmal geringer als bei herkömmlichen Superjunction-Technologien in der Produktion.
Eine hochzuverlässige, JEDEC-qualifizierte Version ist voraussichtlich ab Q1 2020 lieferbar. Entwicklungsmuster sind bereits jetzt verfügbar, um 900-V-GaN-Systeme zu entwerfen.
Die 900-V-Plattform des Herstellers transphorm bietet höhere Reserven gegenüber 650-V-FETs beispielsweise bei erneuerbaren Energien, Automotive-Applikationen und verschiedenen industriellen Anwendungen. Sie ist für den Einsatz in brückenlosen totem-pole Power Factor Correction (PFC)-Halbbrückenkonfigurationen in DC/DC-Wandlern und Wechselrichtern konzipiert.
900-V-GaN-FET im TO-247-Gehäuse
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