–80-V-p-Kanal-TrenchFET-MOSFET

PRODUKT NEWS

Vishay präsentiert den nach eigener Angabe weltbesten AEC-Q101-qualifizierten –80-V-p-Kanal-TrenchFET-MOSFET. Der SQJA81EP bietet laut Vishay unter allen –80-V-p-Kanal-MOSFETs den geringsten On-Widerstand und erhöht die Leistungsdichte und Energieeffizienz in Automobilanwendungen. Im 5,13mm x 6,15mm großen PowerPAK-SO-8L-Gehäuse mit Gullwing-Anschlüssen bietet dieser MOSFET On-Widerstandswerte von 17,3 mOhm (max.) bis 14,3 mOhm (typ.) bei 10V Gate-Spannung.



Die Kombination aus On-Widerstand und der Gate-Ladung des SQJA81EP (ab 52 nC bei 10V Gate-Spannung) ergibt einen kleinen FOM-Wert (Produkt aus Gate-Ladungs- und On-Widerstand); dies ist eine wichtige Kennzahl für MOSFETs in Energiewandler-Anwendungen.

Der Baustein ist für Betriebstemperaturen bis +175°C ausgelegt. 

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